FPM (Fast Page Mode)

FPM (Fast Page Mode)
Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el diseño más comun de chips de RAM dinámica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado, era leído pulsando la fila y la columna de las líneas seleccionadas. Con el modo pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rápido acceso.
La memoria en modo paginado también es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM. El término "fast" fué añadido cuando los más nuevos chips empezaron a correr a 100 nanoseconds e incluso más. 

SRAM (Static RAM)

SRAM (Static RAM)
Siglas de Static Random Access Memory, es un tipo de memoria que es más rápida y fiable que la más común DRAM (Dynamic RAM). El término estática viene derivado del hecho que necesita ser refrescada menos veces que la RAM dinámica.
Los chips de RAM estática tienen tiempos de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos, mientras que las RAM dinámicas están por encima de 30, y las memorias bipolares y ECL se encuentran por debajo de 10 nanosegundos.
Un bit de RAM estática se construye con un --- como circuito flip-flop que permite que la corriente fluya de un lado a otro basándose en cual de los dos transistores es activado. Las RAM estáticas no precisan de circuiteria de refresco como sucede con las RAMs dinámicas, pero precisan más espacio y usan más energía. La SRAM, debido a su alta velocidad, es usada como memoria caché.

VRAM (VIDEO RAM)

VRAM (Vídeo RAM)
Siglas de Vídeo RAM, una memoria de propósito especial usada por los adaptadores de vídeo. A diferencia de la convencional memoria RAM, la VRAM puede ser accedida por dos diferentes dispositivos de forma simultánea. Esto permite que un monitor pueda acceder a la VRAM para las actualizaciones de la pantalla al mismo tiempo que un procesador gráfico suministra nuevos datos. VRAM permite mejores rendimientos gráficos aunque es más cara que la una RAM normal.

DRAM (DYNAMIC RAM)

DRAM (Dynamic RAM)
Siglas de Dynamic RAM, un tipo de memoria de gran capacidad pero que precisa ser constantemente refrescada (re-energizada) o perdería su contenido. Generalmente usa un transistor y un condensador para representar un bit Los condensadores debe de ser energizados cientos de veces por segundo para mantener las cargas. A diferencia de los chips firmware (ROMs, PROMs, etc.) las dos principales variaciones de RAM (dinámica y estática) pierden su contenido cuando se desconectan de la alimentación. Contrasta con la RAM estática.
Algunas veces en los anuncios de memorias, la RAM dinámica se indica erróneamente como un tipo de encapsulado; por ejemplo "se venden DRAMs, SIMMs y SIPs", cuando deberia decirse "DIPs, SIMMs y SIPs" los tres tipos de encapsulado típicos para almacenar chips de RAM dinámica.
Tambien algunas veces el término RAM (Random Access Memory) es utilizado para referirse a la DRAM y distinguirla de la RAM estática (SRAM) que es más rápida y más estable que la RAM dinámica, pero que requiere más energía y es más cara.

Este video nos muestra los diversos tipos de memoria que existen en la actualidad tales como la la memoria RAM, BEDD RAM, DRAM,SDRAM,PROM,etc.Junto con la funcionabilidad de estas como tambien ventajas unicas que tiene cada uno de estos dispositivos de almacenamiento y a su vez las desventajas que tienen dependiendo el modo de uso de cada dispositivo.cabe resaltar.

Las memorias DDR4..... acaso las mas rapidas???

Con la introducción de la plataforma X99 de Intel el pasado viernes, también se dio el pistoletazo de salida a las memorias RAM DDR4, más rápidas y de menor consumo que las anteriores DDR3. Por ello, todos los fabricantes de memoria están anunciando sus nuevos productos y, por supuesto, compitiendo por ver quién es capaz de lanzar al mercado las memorias más rápidas del momento. Hoy la noticia le pertenece a G.Skill, quienes acaban de lanzar al mercado sus nuevas memorias Ripjaws 4 Series a 3.333 Mhz.

Hace tan solo unos días os contábamos que Corsair había lanzado al mercado sus nuevas memorias DDR4 a 3300 Mhz, pero su reinado en lo que a velocidad de memoria se refiere ha llegado a su fin, al menos de momento. Son solo 33 Mhz más, casi inapreciable, pero el dato es el dato y ahora la primera plaza de velocidad de memoria le corresponde a G.Skill.

Y a nosotros nos está resultando curioso, y a la vez gratificante, la capacidad de Overclock de fábrica que están demostrando tener las memorias RAM DDR4. Recordad que su velocidad base es de 2.133 Mhz, por lo que estas memorias de G.Skill a 3.333 Mhz suponen un incremento de 1.200 Mhz, nada más y nada menos. Si echamos un poco la vista atrás a las memorias DDR3, cuya velocidad base es de 1.333 Mhz, teníamos que en sus comienzos las más rápidas que se veían eran de 1866 Mhz, llegando a 2.400 Mhz en una etapa más tardía (y a más pasados unos años). Estamos hablando de un Overclock de fábrica de algo más de 1.000 Mhz pasado ya el tiempo, pero con la DDR4 apenas han pasado unos días y ya tenemos en el mercado módulos de memoria con un incremento de 1.200 Mhz con respecto a la velocidad base.

No cabe duda de que esto es indicativo del enorme potencial de Overclock que proporcionan las memorias DDR4, y más comparado con las DDR3.

Crean una memoria RAM cientos de veces más eficiente

Las futuras generaciones de memorias informáticas pueden tener un nuevo contendiente. Un grupo de investigadores de Virginia (EE UU) han desarrollado un nuevo método que permite guardar y recuperar información con un coste energético mucho más reducido que el de otras alternativas. Esta característica, aseguran, puede abrir la puerta a conseguir mejores densidades. Es decir, a almacenar más en el mismo espacio.

La expansión de portátiles y otros dispositivos móviles que funcionan con baterías han fomentado la investigación para lograr memorias que sean tan rápidas como las otras, pero que consuman menos energía. Una estrategia ha sido desarrollar las denominadas ‘memorias no volátiles’. El trabajo de la Virginia Commonwealth University explora este camino y, aunque solo han dado un primer paso en el laboratorio, puede abrir una nueva puerta para esta tecnología.

Un exceso de disipación de energía puede crear puntos calientes en la memoria que la hagan fallar», asegura Jayasimha Atulasimha, uno de los investigadores. «Además, esta puede limitar la densidad de almacenamiento». Su aproximación, que reduce la energía necesaria para funcionar –y por tanto la que se disipa–, puede permitir crear memorias más eficientes y que almacenen mucho más en el mismo espacio.

Para lograr este avance, los investigadores han dado con la manera de implementar una estrategia que ya se había vislumbrado pero que aún no tenía solución práctica. Las memorias no volátiles se suelen basar en un cambio de la polaridad magnética de una serie de elementos. Cada uno representa un bit –un ‘0’ o un ‘1’–. La forma más eficiente de hacerlo es mediante una técnica conocida como ‘esfuerzo generado por voltaje’. Una pequeña descarga eléctrica que fuerza a un giro de dicha polaridad. Pero un único fogonazo solo permite cambios de hasta 90 grados, la mitad de lo necesario para funcionar.

El truco para conseguir una rotación de 180 grados ha sido llevar a cabo dos rotaciones sucesivas, cada una de un ángulo inferior a los 90 grados aplicando esfuerzo [carga eléctrica] en dos ejes distintos, de manera coordinada, explica Ayan K. Biswas, otro de los investigadores. «Hace falta un reloj de dos fases, pero son lo suficientemente comunes como para que no represente un problema».

Además de la eficiencia, explican los científicos, su sistema tiene una tasa de fallos bajísima. Durante una de las simulaciones realizaron un millón de cambios de estado en 1,36 nanosegundos –mil millonésimas de segundo– sin un solo error.