RAM Disk

RAM Disk
Se refiere a la RAM que ha sido configurada para simular un disco duro. Se puede acceder a los ficheros de un RAM disk de la misma forma en la que se acceden a los de un disco duro. Sin embargo, los RAM disk son aproximadamente miles de veces más rápidos que los discos duros, y son particularmente útiles para aplicaciones que precisan de frecuentes accesos a disco.
Dado que están constituidos por RAM normal. los RAM disk pierden su contenido una vez que la computadora es apagada. Para usar los RAM Disk se precisa copiar los ficheros desde un disco duro real al inicio de la sesión y copiarlos de nuevo al disco duro antes de apagar la máquina. Observe que en el caso de fallo de alimentación eléctrica, se perderán los datos que huviera en el RAM disk. El sistema operativo DOS permite convertir la memoria extendida en un RAM Disk por medio del comando VDISK, siglas de Virtual DISK, otro nombre de los RAM Disks.

Memoria Caché ó RAM Caché

Memoria Caché ó RAM Caché
Un caché es un sistema especial de almacenamiento de alta velocidad. Puede ser tanto un área reservada de la memoria principal como un dispositivo de almacenamiento de alta velocidad independiente. Hay dos tipos de caché frecuentemente usados en las computadoras personales: memoria caché y caché de disco. Una memoria caché, llamada tambien a veces almacenamiento caché ó RAM caché, es una parte de memoria RAM estática de alta velocidad (SRAM) más que la lenta y barata RAM dinámica (DRAM) usada como memoria principal. La memoria caché es efectiva dado que los programas acceden una y otra vez a los mismos datos o instrucciones. Guardando esta información en SRAM, la computadora evita acceder a la lenta DRAM.

DIMM (Dual In line Memory Module) Y DIP (Dual In line Package)

DIMM (Dual In line Memory Module)
Siglas de Dual In line Memory Module, un tipo de encapsulado, consistente en una pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un zócalo DIMM en la placa madre y usa generalmente un conector de 168 contactos.

DIP (Dual In line Package)
Siglas de Dual In line Package, un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexión en cada lado.

SIMM (Single In line Memory Module)

SIMM (Single In line Memory Module)
Siglas de Single In line Memory Module, un tipo de encapsulado consistente en una pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en un zócalo SIMM en la placa madre o en la placa de memoria. Los SIMMs son más fáciles de instalar que los antiguos chips de memoria individuales, y a diferencia de ellos son medidos en bytes en lugar de bits.
El primer formato que se hizo popular en los computadores personales tenía 3.5" de largo y usaba un conector de 32 pins. Un formato más largo de 4.25", que usa 72 contactos y puede almacenar hasta 64 megabytes de RAM es actualmente el más frecuente.
Un PC usa tanto memoria de nueve bits (ocho bits y un bit de paridad, en 9 chips de memoria RAM dinámica) como memoria de ocho bits sin paridad. En el primer caso los ocho primeros son para datos y el noveno es para el chequeo de paridad.

DDR SDRAM Y PB SRAM

DDR SDRAM ó SDRAM II (Double Data Rate SDRAM)
SDRAM-II es tecnología SDRAM más rápida esperada para 1998. También conocido como DDR DRAM o DDR SDRAM (Double Data Rate DRAM o SDRAM), permite leer y escribir datos a dos veces la velocidad bús.

PB SRAM (Pipeline Burst SRAM) 

Siglas de Pipeline Burst SRAM. Se llama 'pipeline' a una categoría de técnicas que proporcionan un proceso simultáneo, o en paralelo dentro de la computadora, y se refiere a las operaciones de solapamiento moviendo datos o instrucciones en una 'tu beria' conceptual con todas las fases del 'pipe' procesando simultáneamente. Por ejemplo, mientras una instrucción se está ejecutándo, la computadora está decodificando la siguiente instrucción. En procesadores vectoriales, pueden procesarse simultáneamente varios pasos de operaciones de coma flotante
La PB SRAM trabaja de esta forma y se mueve en velocidades de entre 4 y 8 nanosegundos.

BEDO Y SDRAM

BEDO (Burst EDO) es un tipo más rápido de EDO que mejora la velocidad usando un contador de dirección para las siguientes direcciones y un estado 'pipeline' que solapa las operaciones.

SDRAM (Synchronous DRAM)
Siglas de Synchronous DRAM, DRAM síncrona, un tipo de memoria RAM dinámica que es casi un 20% más rápida que la RAM EDO. SDRAM entrelaza dos o más matrices de memoria interna de tal forma que mientras que se está accediendo a una matriz, la siguiente se está preparando para el acceso. 

EDO (Extended Data Output)

EDO (Extended Data Output)
Siglas de Extended Data Output, un tipo de chip de RAM dinámica que mejora el rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto de Fast Page, puede ser substituida por chips de modo Fast Page.
Sin embargo, si el controlador de memoria no está diseñado para los más rápidos chips EDO, el rendimiento será el mismo que en el modo Fast Page.
EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo.

FPM (Fast Page Mode)

FPM (Fast Page Mode)
Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el diseño más comun de chips de RAM dinámica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado, era leído pulsando la fila y la columna de las líneas seleccionadas. Con el modo pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rápido acceso.
La memoria en modo paginado también es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM. El término "fast" fué añadido cuando los más nuevos chips empezaron a correr a 100 nanoseconds e incluso más. 

SRAM (Static RAM)

SRAM (Static RAM)
Siglas de Static Random Access Memory, es un tipo de memoria que es más rápida y fiable que la más común DRAM (Dynamic RAM). El término estática viene derivado del hecho que necesita ser refrescada menos veces que la RAM dinámica.
Los chips de RAM estática tienen tiempos de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos, mientras que las RAM dinámicas están por encima de 30, y las memorias bipolares y ECL se encuentran por debajo de 10 nanosegundos.
Un bit de RAM estática se construye con un --- como circuito flip-flop que permite que la corriente fluya de un lado a otro basándose en cual de los dos transistores es activado. Las RAM estáticas no precisan de circuiteria de refresco como sucede con las RAMs dinámicas, pero precisan más espacio y usan más energía. La SRAM, debido a su alta velocidad, es usada como memoria caché.

VRAM (VIDEO RAM)

VRAM (Vídeo RAM)
Siglas de Vídeo RAM, una memoria de propósito especial usada por los adaptadores de vídeo. A diferencia de la convencional memoria RAM, la VRAM puede ser accedida por dos diferentes dispositivos de forma simultánea. Esto permite que un monitor pueda acceder a la VRAM para las actualizaciones de la pantalla al mismo tiempo que un procesador gráfico suministra nuevos datos. VRAM permite mejores rendimientos gráficos aunque es más cara que la una RAM normal.

DRAM (DYNAMIC RAM)

DRAM (Dynamic RAM)
Siglas de Dynamic RAM, un tipo de memoria de gran capacidad pero que precisa ser constantemente refrescada (re-energizada) o perdería su contenido. Generalmente usa un transistor y un condensador para representar un bit Los condensadores debe de ser energizados cientos de veces por segundo para mantener las cargas. A diferencia de los chips firmware (ROMs, PROMs, etc.) las dos principales variaciones de RAM (dinámica y estática) pierden su contenido cuando se desconectan de la alimentación. Contrasta con la RAM estática.
Algunas veces en los anuncios de memorias, la RAM dinámica se indica erróneamente como un tipo de encapsulado; por ejemplo "se venden DRAMs, SIMMs y SIPs", cuando deberia decirse "DIPs, SIMMs y SIPs" los tres tipos de encapsulado típicos para almacenar chips de RAM dinámica.
Tambien algunas veces el término RAM (Random Access Memory) es utilizado para referirse a la DRAM y distinguirla de la RAM estática (SRAM) que es más rápida y más estable que la RAM dinámica, pero que requiere más energía y es más cara.

Este video nos muestra los diversos tipos de memoria que existen en la actualidad tales como la la memoria RAM, BEDD RAM, DRAM,SDRAM,PROM,etc.Junto con la funcionabilidad de estas como tambien ventajas unicas que tiene cada uno de estos dispositivos de almacenamiento y a su vez las desventajas que tienen dependiendo el modo de uso de cada dispositivo.cabe resaltar.

Las memorias DDR4..... acaso las mas rapidas???

Con la introducción de la plataforma X99 de Intel el pasado viernes, también se dio el pistoletazo de salida a las memorias RAM DDR4, más rápidas y de menor consumo que las anteriores DDR3. Por ello, todos los fabricantes de memoria están anunciando sus nuevos productos y, por supuesto, compitiendo por ver quién es capaz de lanzar al mercado las memorias más rápidas del momento. Hoy la noticia le pertenece a G.Skill, quienes acaban de lanzar al mercado sus nuevas memorias Ripjaws 4 Series a 3.333 Mhz.

Hace tan solo unos días os contábamos que Corsair había lanzado al mercado sus nuevas memorias DDR4 a 3300 Mhz, pero su reinado en lo que a velocidad de memoria se refiere ha llegado a su fin, al menos de momento. Son solo 33 Mhz más, casi inapreciable, pero el dato es el dato y ahora la primera plaza de velocidad de memoria le corresponde a G.Skill.

Y a nosotros nos está resultando curioso, y a la vez gratificante, la capacidad de Overclock de fábrica que están demostrando tener las memorias RAM DDR4. Recordad que su velocidad base es de 2.133 Mhz, por lo que estas memorias de G.Skill a 3.333 Mhz suponen un incremento de 1.200 Mhz, nada más y nada menos. Si echamos un poco la vista atrás a las memorias DDR3, cuya velocidad base es de 1.333 Mhz, teníamos que en sus comienzos las más rápidas que se veían eran de 1866 Mhz, llegando a 2.400 Mhz en una etapa más tardía (y a más pasados unos años). Estamos hablando de un Overclock de fábrica de algo más de 1.000 Mhz pasado ya el tiempo, pero con la DDR4 apenas han pasado unos días y ya tenemos en el mercado módulos de memoria con un incremento de 1.200 Mhz con respecto a la velocidad base.

No cabe duda de que esto es indicativo del enorme potencial de Overclock que proporcionan las memorias DDR4, y más comparado con las DDR3.

Crean una memoria RAM cientos de veces más eficiente

Las futuras generaciones de memorias informáticas pueden tener un nuevo contendiente. Un grupo de investigadores de Virginia (EE UU) han desarrollado un nuevo método que permite guardar y recuperar información con un coste energético mucho más reducido que el de otras alternativas. Esta característica, aseguran, puede abrir la puerta a conseguir mejores densidades. Es decir, a almacenar más en el mismo espacio.

La expansión de portátiles y otros dispositivos móviles que funcionan con baterías han fomentado la investigación para lograr memorias que sean tan rápidas como las otras, pero que consuman menos energía. Una estrategia ha sido desarrollar las denominadas ‘memorias no volátiles’. El trabajo de la Virginia Commonwealth University explora este camino y, aunque solo han dado un primer paso en el laboratorio, puede abrir una nueva puerta para esta tecnología.

Un exceso de disipación de energía puede crear puntos calientes en la memoria que la hagan fallar», asegura Jayasimha Atulasimha, uno de los investigadores. «Además, esta puede limitar la densidad de almacenamiento». Su aproximación, que reduce la energía necesaria para funcionar –y por tanto la que se disipa–, puede permitir crear memorias más eficientes y que almacenen mucho más en el mismo espacio.

Para lograr este avance, los investigadores han dado con la manera de implementar una estrategia que ya se había vislumbrado pero que aún no tenía solución práctica. Las memorias no volátiles se suelen basar en un cambio de la polaridad magnética de una serie de elementos. Cada uno representa un bit –un ‘0’ o un ‘1’–. La forma más eficiente de hacerlo es mediante una técnica conocida como ‘esfuerzo generado por voltaje’. Una pequeña descarga eléctrica que fuerza a un giro de dicha polaridad. Pero un único fogonazo solo permite cambios de hasta 90 grados, la mitad de lo necesario para funcionar.

El truco para conseguir una rotación de 180 grados ha sido llevar a cabo dos rotaciones sucesivas, cada una de un ángulo inferior a los 90 grados aplicando esfuerzo [carga eléctrica] en dos ejes distintos, de manera coordinada, explica Ayan K. Biswas, otro de los investigadores. «Hace falta un reloj de dos fases, pero son lo suficientemente comunes como para que no represente un problema».

Además de la eficiencia, explican los científicos, su sistema tiene una tasa de fallos bajísima. Durante una de las simulaciones realizaron un millón de cambios de estado en 1,36 nanosegundos –mil millonésimas de segundo– sin un solo error.

Jerarquía de memoria

La jerarquía de memoria es la organización piramidal de la memoria en niveles que tienen las computadoras. El objetivo es conseguir el rendimiento de una memoria de gran velocidad al coste de una memoria de baja velocidad, basándose en el principio de cercanía de referencias.

Puntos básicos:

Los puntos básicos relacionados con la memoria pueden resumirse en:
Capacidad
Velocidad
Coste por bit

La cuestión de la capacidad es simple, cuanto más memoria haya disponible, más podrá utilizarse.

La velocidad óptima para la memoria es la velocidad a la que el microprocesador puede trabajar, de modo que no haya tiempos de espera entre cálculo y cálculo, utilizados para traer operandos o guardar resultados.

En suma, el coste de la memoria no debe ser excesivo, para que sea factible construir un equipo accesible.

Los tres factores compiten entre sí, por lo que hay que encontrar un equilibrio.

Las siguientes afirmaciones son válidas:
A menor tiempo de acceso mayor coste.
A mayor capacidad menor coste por bit.
A mayor capacidad menor velocidad.

Se busca entonces contar con capacidad suficiente de memoria, con una velocidad que sirva para satisfacer la demanda de rendimiento y con un coste que no sea excesivo. Gracias a un principio llamado cercanía de referencias, es factible utilizar una mezcla de los distintos tipos y lograr un rendimiento cercano al de la memoria más rápida.

Niveles jerárquicos.

Los niveles que componen la jerarquía de memoria habitualmente son:

• Nivel 0: Registros del microprocesador o CPU
• Nivel 1: Memoria caché
• Nivel 2: Memoria primaria (RAM)
• Nivel 3: Memorias flash
• Nivel 4: Disco duro (con el mecanismo de memoria virtual)
• Nivel 5: Cintas magnéticas (consideradas las más lentas, con mayor capacidad, de acceso secuencial)
• Nivel 6: Redes (actualmente se considera un nivel más de la jerarquía de memorias)

La Memoria ¿que es?...

Los componentes fundamentales de las computadoras de propósito general son la CPU, el espacio de almacenamiento y los dispositivos de entrada/salida. La habilidad para almacenar las instrucciones que forman un programa de computadora y la información que manipulan las instrucciones es lo que hace versátiles a las computadoras diseñadas según la arquitectura de programas almacenados.

En informática, la memoria es el dispositivo que retiene, memoriza o almacena datos informáticos durante algún intervalo de tiempo. La memoria proporciona una de las principales funciones de la computación moderna: el almacenamiento de información y conocimiento. Es uno de los componentes fundamentales de la computadora, que interconecta a la unidad central de procesamiento y los dispositivos de entrada/salida, implementan lo fundamental del modelo de computadora de la arquitectura de Von Neumann.

Una computadora digital representa toda la información usando el sistema binario. Texto, números, imágenes, sonido y casi cualquier otra forma de información puede ser transformada en una sucesión de bits, o dígitos binarios, cada uno de los cuales tiene un valor de 1 ó 0. La unidad de almacenamiento más común es el byte, igual a 8 bits. Una determinada información puede ser manipulada por cualquier computadora cuyo espacio de almacenamiento sea suficientemente grande como para que quepa el dato correspondiente o la representación binaria de la información. Por ejemplo, una computadora con un espacio de almacenamiento de ocho millones de bits, o un megabyte, puede ser usada para editar una novela pequeña.